- 制造商编号：
- IPG20N04S4L07ATMA1
- 制造商：
- Infineon英飞凌
- 描述：
- MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
- 规格说明书：
- IPG20N04S4L07ATMA1说明书
库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥17.668103 | ￥17.67 |
| 10 | ￥15.851558 | ￥158.52 |
| 100 | ￥12.743042 | ￥1274.30 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Infineon(英飞凌) |
| 系列: | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | 2 N-通道（双） |
| FET 功能: | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss）: | 40V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 20A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 7.2 毫欧 @ 17A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.2V @ 30µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 50nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 3980pF @ 25V |
| 功率 - 最大值: | 65W |
| 工作温度: | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 8-PowerVDFN |
| 供应商器件封装: | PG-TDSON-8-4 |
| 标准包装: | 5,000 |
IPG20N04S4L07ATMA1
型号：IPG20N04S4L07ATMA1
品牌：Infineon英飞凌
描述：MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
库存：0
单价：
| 1+： | ￥17.668103 |
| 10+： | ￥15.851558 |
| 100+： | ￥12.743042 |
| 500+： | ￥10.469439 |
| 1000+： | ￥9.97099 |
| 5000+： | ￥9.97099 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥17.67