- 制造商编号：
- PSMN102-200Y,115
- 制造商：
- Nexperia安世
- 描述：
- MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK56
- 规格说明书：
- PSMN102-200Y,115说明书
库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥13.484544 | ￥13.48 |
| 10 | ￥12.089355 | ￥120.89 |
| 100 | ￥9.423337 | ￥942.33 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Nexperia(安世) |
| 系列: | TrenchMOS™ |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 200 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 21.5A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 102 毫欧 @ 12A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 30.7 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 1568 pF @ 30 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 113W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | LFPAK56，Power-SO8 |
| 封装/外壳: | SC-100，SOT-669 |
| 标准包装: | 1,500 |
PSMN102-200Y,115
型号：PSMN102-200Y,115
品牌：Nexperia安世
描述：MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK56
库存：0
单价：
| 1+： | ￥13.484544 |
| 10+： | ￥12.089355 |
| 100+： | ￥9.423337 |
| 500+： | ￥7.784697 |
| 1500+： | ￥6.14576 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥13.48