STGF4M65DF2

制造商编号:
STGF4M65DF2
制造商:
ST意法半导体
描述:
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
规格说明书:
STGF4M65DF2说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 12.321668 12.32
10 11.009926 110.10
100 8.583142 858.31

规格参数

属性 参数值
制造商: ST(意法半导体)
系列: M
包装: 管件
零件状态: 在售
IGBT 类型: 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值): 650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 8 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 16 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.1V @ 15V,4A
功率 - 最大值: 23 W
开关能量: 40µJ(开),136µJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 15.2 nC
25°C 时 Td(开/关)值: 12ns/86ns
测试条件: 400V,4A,47 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr): 133 ns
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3 整包
供应商器件封装: TO-220FP
标准包装: 2,000

客服

购物车

STGF4M65DF2

型号:STGF4M65DF2

品牌:ST意法半导体

描述:TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S

库存:0

单价:

1+: ¥12.321668
10+: ¥11.009926
100+: ¥8.583142
500+: ¥7.090368
1000+: ¥6.160909

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥12.32