IRF9910TRPBF

制造商编号:
IRF9910TRPBF
制造商:
Infineon英飞凌
描述:
MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC
规格说明书:
IRF9910TRPBF说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 13.266619 13.27
10 11.869086 118.69
100 9.255425 925.54

规格参数

属性 参数值
制造商: Infineon(英飞凌)
系列: HEXFET®
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10A,12A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 9.3 毫欧 @ 12A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.55V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 11nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 900pF @ 10V
功率 - 最大值: 2W
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装: 8-SO
标准包装: 4,000

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IRF9910TRPBF

型号:IRF9910TRPBF

品牌:Infineon英飞凌

描述:MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC

库存:0

单价:

1+: ¥13.266619
10+: ¥11.869086
100+: ¥9.255425
500+: ¥7.6459
1000+: ¥6.706904
4000+: ¥6.706904

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