- 制造商编号：
- IPAW70R600CEXKSA1
- 制造商：
- Infineon英飞凌
- 描述：
- MOSFET N-CH 700V 10.5A TO220-31
- 规格说明书：
- IPAW70R600CEXKSA1说明书
库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 管件
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 450 | ￥8.875853 | ￥3994.13 |
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Infineon(英飞凌) |
| 系列: | CoolMOS™ CE |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 不适用于新设计 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 700 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 10.5A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 600毫欧 @ 1A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 3.5V @ 210µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 22 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 474 pF @ 100 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 86W（Tc） |
| 工作温度: | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 供应商器件封装: | PG-TO220-3-FP |
| 封装/外壳: | TO-220-3 整包 |
| 标准包装: | 450 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| R6012FNX | Rohm Semiconductor | ¥38.09000 | 类似 |
| STF10NM60ND | STMicroelectronics | ¥19.05000 | 类似 |
| R6009ENX | Rohm Semiconductor | ¥24.88000 | 类似 |
| STF12N65M5 | STMicroelectronics | ¥24.88000 | 类似 |
| STP13NK60ZFP | STMicroelectronics | ¥39.24000 | 类似 |
IPAW70R600CEXKSA1
型号：IPAW70R600CEXKSA1
品牌：Infineon英飞凌
描述：MOSFET N-CH 700V 10.5A TO220-31
库存：0
单价：
| 450+： | ￥8.875853 |
货期：1-2天
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