SIHG47N60AEL-GE3

制造商编号:
SIHG47N60AEL-GE3
制造商:
Vishay威世
描述:
MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC
规格说明书:
SIHG47N60AEL-GE3说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 81.237822 81.24
10 73.400145 734.00

规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: EL
包装: 管件
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 47A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 65 毫欧 @ 23.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 222 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 4600 pF @ 100 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 379W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247AC
封装/外壳: TO-247-3
标准包装: 500

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
STW58N65DM2AG STMicroelectronics ¥93.92000 类似

客服

购物车

SIHG47N60AEL-GE3

型号:SIHG47N60AEL-GE3

品牌:Vishay威世

描述:MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC

库存:0

单价:

1+: ¥81.237822
10+: ¥73.400145

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥81.24