RR1LAM6STR

制造商编号:
RR1LAM6STR
制造商:
Rohm Semiconductor罗姆
描述:
DIODE GEN PURP 600V 1A PMDTM
规格说明书:
RR1LAM6STR说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 4.548041 4.55
10 3.711384 37.11
100 2.526272 252.63

规格参数

属性 参数值
制造商: Rohm Semiconductor(罗姆)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 600 V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 1 A
速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 600 V
不同 Vr、F 时电容: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-128
供应商器件封装: PMDTM
工作温度 - 结: 150°C(最大)
标准包装: 3,000

客服

购物车

RR1LAM6STR

型号:RR1LAM6STR

品牌:Rohm Semiconductor罗姆

描述:DIODE GEN PURP 600V 1A PMDTM

库存:0

单价:

1+: ¥4.548041
10+: ¥3.711384
100+: ¥2.526272
500+: ¥1.895017
1000+: ¥1.421257
3000+: ¥1.302814
6000+: ¥1.223856
15000+: ¥1.144898
30000+: ¥1.076712

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥4.55