APTC60HM70BT3G

制造商编号:
APTC60HM70BT3G
制造商:
Microchip微芯
描述:
MOSFET 4N-CH 600V 39A SP3
规格说明书:
APTC60HM70BT3G说明书

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封装: 托盘

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阶梯 单价 总价
9 923.628558 8312.66

规格参数

属性 参数值
制造商: Microchip(微芯)
系列: CoolMOS™
包装: 托盘
零件状态: 在售
FET 类型: 4 个 N 通道(H 桥)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 600V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 39A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 70 毫欧 @ 39A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.9V @ 2.7mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 259nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 700pF @ 25V
功率 - 最大值: 250W
工作温度: -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 底座安装
封装/外壳: SP3
供应商器件封装: SP3
标准包装: 1

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APTC60HM70BT3G

型号:APTC60HM70BT3G

品牌:Microchip微芯

描述:MOSFET 4N-CH 600V 39A SP3

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