2N7000RLRAG

制造商编号:
2N7000RLRAG
制造商:
ON安森美
描述:
MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
规格说明书:
2N7000RLRAG说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

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规格参数

属性 参数值
制造商: ON(安森美)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 200mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 5 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V @ 1mA
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 60 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 350mW(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-92(TO-226)
封装/外壳: TO-226-3,TO-92-3 长基体(成形引线)
标准包装: 2,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
ZVN3306A Diodes Incorporated ¥6.45000 类似

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品牌:ON安森美

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