货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥11.177779 | ¥11.18 |
10 | ¥9.969236 | ¥99.69 |
25 | ¥9.464931 | ¥236.62 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | TI(德州仪器) |
系列: | NexFET™ |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | 2 个 N 通道(半桥) |
FET 功能: | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss): | 30V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 15A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 16.3 毫欧 @ 8A,8V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 1.9V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 5nC @ 4.5V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 564pF @ 15V |
功率 - 最大值: | 4W |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 5-LGA |
供应商器件封装: | 5-PTAB(3x2.5) |
标准包装: | 250 |
CSD87381PT
型号:CSD87381PT
品牌:TI德州仪器
描述:MOSFET 2N-CH 30V 15A 5PTAB
库存:0
单价:
1+: | ¥11.177779 |
10+: | ¥9.969236 |
25+: | ¥9.464931 |
100+: | ¥7.775706 |
250+: | ¥7.268665 |
500+: | ¥6.423381 |
1000+: | ¥5.581343 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥11.18