货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥10.771677 | ¥10.77 |
10 | ¥9.594202 | ¥95.94 |
100 | ¥7.476798 | ¥747.68 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Taiwan Semiconductor(台湾积体电路) |
系列: | - |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 150 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 1.4A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 6V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 480 毫欧 @ 1.1A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 3.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 8 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 332 pF @ 10 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 2.1W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | SOT-26 |
封装/外壳: | SOT-23-6 |
标准包装: | 3,000 |
TSM4800N15CX6 RFG
型号:TSM4800N15CX6 RFG
品牌:Taiwan Semiconductor台湾积体电路
描述:MOSFET N-CH 150V 1.4A SOT26
库存:0
单价:
1+: | ¥10.771677 |
10+: | ¥9.594202 |
100+: | ¥7.476798 |
500+: | ¥6.176696 |
1000+: | ¥4.876367 |
3000+: | ¥4.551267 |
6000+: | ¥4.433064 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥10.77