SIHD3N50DT4-GE3

制造商编号:
SIHD3N50DT4-GE3
制造商:
Vishay威世
描述:
MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
规格说明书:
SIHD3N50DT4-GE3说明书

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货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
3000 3.379947 10139.84

规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: D
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 3.2 欧姆 @ 1.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 12 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 175 pF @ 100 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 69W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-252AA
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
标准包装: 3,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
TSM4NC50CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation ¥14.98000 类似
AOD3N50 Alpha & Omega Semiconductor Inc. ¥5.45000 类似

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SIHD3N50DT4-GE3

型号:SIHD3N50DT4-GE3

品牌:Vishay威世

描述:MOSFET N-CH 500V 3A DPAK

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