IHD10N60RA

制造商编号:
IHD10N60RA
制造商:
Infineon英飞凌
描述:
IGBT 600V 20A 110W TO252-3
规格说明书:
IHD10N60RA说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

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规格参数

属性 参数值
制造商: Infineon(英飞凌)
系列: TrenchStop®
包装: 卷带(TR)
零件状态: 停产
IGBT 类型: 沟道
电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 20 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 30 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 1.9V @ 15V,10A
功率 - 最大值: 110 W
开关能量: 270µJ
输入类型: 标准
栅极电荷: 62 nC
25°C 时 Td(开/关)值: -/170ns
测试条件: 400V,10A,23 欧姆,15V
工作温度: -40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
供应商器件封装: PG-TO252-3-11
标准包装: 2,500

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IHD10N60RA

型号:IHD10N60RA

品牌:Infineon英飞凌

描述:IGBT 600V 20A 110W TO252-3

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