1N5822HB0G

制造商编号:
1N5822HB0G
制造商:
Taiwan Semiconductor台湾积体电路
描述:
DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD
规格说明书:
1N5822HB0G说明书

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封装: 散装

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规格参数

属性 参数值
制造商: Taiwan Semiconductor(台湾积体电路)
系列: Automotive, AEC-Q101
包装: 散装
零件状态: 在售
二极管类型: 肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 40 V
电流 - 平均整流 (Io): 3A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 525 mV @ 3 A
速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 500 µA @ 40 V
不同 Vr、F 时电容: 200pF @ 4V,1MHz
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-201AD,轴向
供应商器件封装: DO-201AD
工作温度 - 结: -55°C ~ 125°C
标准包装: 500

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
1N5822 STMicroelectronics ¥3.30000 类似
SB340-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ¥3.53000 类似
1N5822RL STMicroelectronics ¥3.38000 类似
SB340-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ¥3.61000 类似
1N5822-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ¥3.61000 类似

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1N5822HB0G

型号:1N5822HB0G

品牌:Taiwan Semiconductor台湾积体电路

描述:DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD

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