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货期： 8周-10周
封装： 管件
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | ST(意法半导体) |
| 系列: | - |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 在售 |
| IGBT 类型: | 沟槽型场截止 |
| 电压 - 集射极击穿（最大值）: | 650 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: | 120 A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm): | 240 A |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: | 2V @ 15V，80A |
| 功率 - 最大值: | 469 W |
| 开关能量: | 2.1mJ（开），1.5mJ（关） |
| 输入类型: | 标准 |
| 栅极电荷: | 414 nC |
| 25°C 时 Td（开/关）值: | 84ns/280ns |
| 测试条件: | 400V，80A，10 欧姆，15V |
| 工作温度: | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 封装/外壳: | TO-247-4 |
| 供应商器件封装: | TO-247-4 |
| 标准包装: | 30 |
STGW80H65FB-4
型号：STGW80H65FB-4
品牌：ST意法半导体
描述：IGBT BIPO 650V 80A TO247
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