货期: 8周-10周
封装: 托盘
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥6783.768226 | ¥6783.77 |
属性 | 参数值 |
---|---|
制造商: | Rohm Semiconductor(罗姆) |
系列: | - |
包装: | 托盘 |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | 2 个 N 通道(半桥) |
FET 功能: | 碳化硅(SiC) |
漏源电压(Vdss): | 1200V(1.2kV) |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 300A(Tc) |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | - |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 4V @ 68mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | - |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 35000pF @ 10V |
功率 - 最大值: | 1875W |
工作温度: | -40°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 底座安装 |
封装/外壳: | 模块 |
供应商器件封装: | 模块 |
标准包装: | 4 |
BSM300D12P2E001
型号:BSM300D12P2E001
品牌:Rohm Semiconductor罗姆
描述:MOSFET 2N-CH 1200V 300A
库存:0
单价:
1+: | ¥6783.768226 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥6783.77