货期: 8周-10周
封装: 管件
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1+ : 需询价 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Infineon(英飞凌) |
系列: | HEXFET® |
包装: | 管件 |
零件状态: | 停产 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 40 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 185A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 4.5 毫欧 @ 110A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 1V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 140 nC @ 4.5 V |
Vgs(最大值): | ±16V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 7660 pF @ 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 300W(Tc) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | 超级 D2-封装 |
封装/外壳: | 超级 D2-封装 |
标准包装: | 50 |
IRLBL1304
型号:IRLBL1304
品牌:Infineon英飞凌
描述:MOSFET N-CH 40V 185A SUPER D2PAK
库存:0
单价:
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00