PSMN030-150B,118

制造商编号:
PSMN030-150B,118
制造商:
Nexperia安世
描述:
MOSFET N-CH 150V 55.5A D2PAK
规格说明书:
PSMN030-150B,118说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1+ : 需询价

规格参数

属性 参数值
制造商: Nexperia(安世)
系列: TrenchMOS™
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 55.5A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 30 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 98 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3680 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 250W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: D2PAK
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
标准包装: 800

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
IPB108N15N3GATMA1 Infineon Technologies ¥45.54000 类似
IRFS4321TRLPBF Infineon Technologies ¥33.79000 类似
IRFS52N15DTRLP Infineon Technologies ¥24.73000 类似

客服

购物车

PSMN030-150B,118

型号:PSMN030-150B,118

品牌:Nexperia安世

描述:MOSFET N-CH 150V 55.5A D2PAK

库存:0

单价:

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥0.00