R6035ENZ1C9

制造商编号:
R6035ENZ1C9
制造商:
Rohm Semiconductor罗姆
描述:
MOSFET N-CH 600V 35A TO247
规格说明书:
R6035ENZ1C9说明书

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货期: 8周-10周

封装: 管件

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规格参数

属性 参数值
制造商: Rohm Semiconductor(罗姆)
系列: -
包装: 管件
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 35A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 102 毫欧 @ 18.1A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 110 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2720 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 120W(Tc)
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247
封装/外壳: TO-247-3
标准包装: 450

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
IXFB82N60Q3 IXYS ¥326.85000 类似
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IXFK64N60P3 IXYS ¥108.59000 类似

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R6035ENZ1C9

型号:R6035ENZ1C9

品牌:Rohm Semiconductor罗姆

描述:MOSFET N-CH 600V 35A TO247

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