- 制造商编号：
- APT95GR65JDU60
- 制造商：
- Microsemi美高森美
- 描述：
- INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
- 规格说明书：
- APT95GR65JDU60说明书
库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 散装
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Microsemi(美高森美) |
| 系列: | - |
| 包装: | 散装 |
| 零件状态: | 停产 |
| IGBT 类型: | NPT |
| 电压 - 集射极击穿（最大值）: | 650 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: | 135 A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm): | 380 A |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: | 2.4V @ 15V，95A |
| 功率 - 最大值: | 446 W |
| 输入类型: | 标准 |
| 栅极电荷: | 420 nC |
| 25°C 时 Td（开/关）值: | 29ns/226ns |
| 测试条件: | 433V，95A，4.3 欧姆，15V |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 底座安装 |
| 封装/外壳: | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商器件封装: | SOT-227 |
| 标准包装: | 1 |
APT95GR65JDU60
型号：APT95GR65JDU60
品牌：Microsemi美高森美
描述：INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
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