ISL9R18120S3ST

制造商编号:
ISL9R18120S3ST
制造商:
ON安森美
描述:
DIODE GEN PURP 1200V 18A TO263AB
规格说明书:
ISL9R18120S3ST说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 16.524215 16.52
10 14.809625 148.10
100 11.905143 1190.51

规格参数

属性 参数值
制造商: ON(安森美)
系列: Stealth™
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 1200 V
电流 - 平均整流 (Io): 18A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 3.3 V @ 18 A
速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 300 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 µA @ 1200 V
不同 Vr、F 时电容: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
供应商器件封装: D²PAK(TO-263)
工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C
标准包装: 800

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ISL9R18120S3ST

型号:ISL9R18120S3ST

品牌:ON安森美

描述:DIODE GEN PURP 1200V 18A TO263AB

库存:0

单价:

1+: ¥16.524215
10+: ¥14.809625
100+: ¥11.905143
800+: ¥9.780818
1600+: ¥9.227238

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥16.52