库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 管件
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 30 | ￥100.854903 | ￥3025.65 |
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | IXYS(艾赛斯) |
| 系列: | HiPerFET™, Ultra X |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 850 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 9.5A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 360 毫欧 @ 10A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 5.5V @ 2.5mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 63 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 1660 pF @ 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 110W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 供应商器件封装: | ISO TO-247-3 |
| 封装/外壳: | TO-247-3 |
| 标准包装: | 30 |
IXFJ20N85X
型号：IXFJ20N85X
品牌：IXYS艾赛斯
描述：MOSFET N-CH 850V 9.5A ISO TO247
库存：0
单价：
| 30+： | ￥100.854903 |
货期：1-2天
+ -
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