库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥13.917691 | ￥13.92 |
| 10 | ￥12.439292 | ￥124.39 |
| 100 | ￥9.699183 | ￥969.92 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Infineon(英飞凌) |
| 系列: | CoolMOS™ P7 |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | - |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 800 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | - |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | - |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | - |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | - |
| Vgs（最大值）: | - |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | - |
| 工作温度: | - |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | PG-TDSON-8 |
| 封装/外壳: | 8-PowerTDFN |
| 标准包装: | 5,000 |
IPLK80R1K4P7ATMA1
型号：IPLK80R1K4P7ATMA1
品牌：Infineon英飞凌
描述：MOSFET 800V TDSON-8
库存：0
单价：
| 1+： | ￥13.917691 |
| 10+： | ￥12.439292 |
| 100+： | ￥9.699183 |
| 500+： | ￥8.012281 |
| 1000+： | ￥7.333871 |
| 5000+： | ￥7.333871 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥13.92