PMDT290UCE,115

制造商编号:
PMDT290UCE,115
制造商:
Nexperia安世
描述:
MOSFET N/P-CH 20V SOT666
规格说明书:
PMDT290UCE,115说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 3.817106 3.82
10 3.113366 31.13
100 2.11781 211.78

规格参数

属性 参数值
制造商: Nexperia(安世)
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 和 P 沟道
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 800mA,550mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 380 毫欧 @ 500mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 950mV @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.68nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 83pF @ 10V
功率 - 最大值: 500mW
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-563,SOT-666
供应商器件封装: SOT-666
标准包装: 4,000

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PMDT290UCE,115

型号:PMDT290UCE,115

品牌:Nexperia安世

描述:MOSFET N/P-CH 20V SOT666

库存:0

单价:

1+: ¥3.817106
10+: ¥3.113366
100+: ¥2.11781
500+: ¥1.588115
1000+: ¥1.191086
2000+: ¥1.091829
4000+: ¥1.091829
8000+: ¥1.025658

货期:1-2天

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单价:¥0.00总价:¥3.82