IRFBC30STRLPBF

制造商编号:
IRFBC30STRLPBF
制造商:
Vishay威世
描述:
MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
规格说明书:
IRFBC30STRLPBF说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 30.561715 30.56
10 27.471973 274.72
100 22.510605 2251.06

规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.6A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.2 欧姆 @ 2.2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 31 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 660 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 3.1W(Ta),74W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: D²PAK(TO-263)
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
标准包装: 800

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
FQB6N80TM onsemi ¥18.74000 类似

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IRFBC30STRLPBF

型号:IRFBC30STRLPBF

品牌:Vishay威世

描述:MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK

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1+: ¥30.561715
10+: ¥27.471973
100+: ¥22.510605
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