库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥33.135464 | ￥33.14 |
| 10 | ￥29.743586 | ￥297.44 |
| 100 | ￥24.373527 | ￥2437.35 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Rohm Semiconductor(罗姆) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 600 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 24A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 165 毫欧 @ 11.3A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 70 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 1650 pF @ 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 40W（Tc） |
| 工作温度: | 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | LPTS |
| 封装/外壳: | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 标准包装: | 1,000 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| SIHB21N65EF-GE3 | Vishay Siliconix | ¥40.86000 | 类似 |
| IXTA24N65X2 | IXYS | ¥39.09000 | 类似 |
| STB28N65M2 | STMicroelectronics | ¥27.11000 | 类似 |
| STB24NM60N | STMicroelectronics | ¥48.00000 | 类似 |
R6024ENJTL
型号：R6024ENJTL
品牌：Rohm Semiconductor罗姆
描述：MOSFET N-CH 600V 24A LPTS
库存：0
单价：
| 1+： | ￥33.135464 |
| 10+： | ￥29.743586 |
| 100+： | ￥24.373527 |
| 500+： | ￥20.748296 |
| 1000+： | ￥17.498559 |
| 2000+： | ￥17.04405 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥33.14