- 制造商编号：
- RS1P600BHTB1
- 制造商：
- Rohm Semiconductor罗姆
- 描述：
- NCH 100V 60A, HSOP8, POWER MOSFE
- 规格说明书：
- RS1P600BHTB1说明书
库存 ：2440
货期： 国内（1~2天）
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 2500 | ￥13.670959 | ￥34177.40 |
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Rohm Semiconductor(罗姆) |
| 系列: | - |
| 封装/外壳: | 8-PowerTDFN |
| 工作温度: | 150°C（TJ） |
| 包装: | 卷带（TR） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 18A (Ta), 60A (Tc) |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 8.8mOhm @ 18A, 10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 64 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 4080 pF @ 50 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 3W（Ta），35W（Tc） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | 8-HSOP |
| 标准包装: | 2,500 |
RS1P600BHTB1
型号：RS1P600BHTB1
品牌：Rohm Semiconductor罗姆
描述：NCH 100V 60A, HSOP8, POWER MOSFE
库存：2440
单价：
| 2500+： | ￥13.670959 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00