货期: 8周-10周
封装: 管件
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥23.196151 | ¥23.20 |
10 | ¥20.877676 | ¥208.78 |
100 | ¥16.778283 | ¥1677.83 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Infineon(英飞凌) |
系列: | HEXFET® |
包装: | 管件 |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 60 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 50A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 6.8 毫欧 @ 50A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2.5V @ 100µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 49 nC @ 4.5 V |
Vgs(最大值): | ±16V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 3779 pF @ 50 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 143W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型: | 通孔 |
供应商器件封装: | I-PAK |
封装/外壳: | TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA |
标准包装: | 75 |
IRLU3636PBF
型号:IRLU3636PBF
品牌:Infineon英飞凌
描述:MOSFET N-CH 60V 50A IPAK
库存:0
单价:
1+: | ¥23.196151 |
10+: | ¥20.877676 |
100+: | ¥16.778283 |
500+: | ¥13.785376 |
1000+: | ¥13.128839 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥23.20