库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥6.204351 | ￥6.20 |
| 10 | ￥5.462067 | ￥54.62 |
| 100 | ￥4.18514 | ￥418.51 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Diodes(美台) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 2.3A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 220 毫欧 @ 1.6A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 8.3 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 401 pF @ 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 1.8W（Ta） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | SOT-223-3 |
| 封装/外壳: | TO-261-4，TO-261AA |
| 标准包装: | 2,500 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| FQT7N10LTF | onsemi | ¥5.91000 | 类似 |
| BSP373NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | ¥8.45000 | 类似 |
| BSP372NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | ¥7.76000 | 类似 |
DMN10H220LE-13
型号：DMN10H220LE-13
品牌：Diodes美台
描述：MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223
库存：0
单价：
| 1+： | ￥6.204351 |
| 10+： | ￥5.462067 |
| 100+： | ￥4.18514 |
| 500+： | ￥3.308573 |
| 1000+： | ￥2.646858 |
| 2500+： | ￥2.398709 |
| 5000+： | ￥2.255847 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥6.20