NTMD6P02R2G

制造商编号:
NTMD6P02R2G
制造商:
ON安森美
描述:
MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC
规格说明书:
NTMD6P02R2G说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 8.491957 8.49
10 7.624524 76.25
100 5.941976 594.20

规格参数

属性 参数值
制造商: ON(安森美)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: 2 个 P 沟道(双)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4.8A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 33 毫欧 @ 6.2A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 35nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1700pF @ 16V
功率 - 最大值: 750mW
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装: 8-SOIC
标准包装: 2,500

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NTMD6P02R2G

型号:NTMD6P02R2G

品牌:ON安森美

描述:MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC

库存:0

单价:

1+: ¥8.491957
10+: ¥7.624524
100+: ¥5.941976
500+: ¥4.908534
1000+: ¥4.110027
2500+: ¥4.110062

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