库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 管件
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 500 | ￥19.282328 | ￥9641.16 |
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Infineon(英飞凌) |
| 系列: | CoolMOS™ |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 不适用于新设计 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 650 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 9A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 385 毫欧 @ 5.2A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 3.5V @ 340µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 22 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 790 pF @ 100 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 83W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 供应商器件封装: | PG-TO220-3 |
| 封装/外壳: | TO-220-3 |
| 标准包装: | 500 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| STP13N60M2 | STMicroelectronics | ¥17.51000 | 类似 |
| STP16N65M2 | STMicroelectronics | ¥20.35000 | 类似 |
| FCP11N60N | onsemi | ¥25.65000 | 类似 |
| STP12N65M5 | STMicroelectronics | ¥23.50000 | 类似 |
| STP10NK80Z | STMicroelectronics | ¥35.40000 | 直接 |
IPP60R385CPXKSA1
型号：IPP60R385CPXKSA1
品牌：Infineon英飞凌
描述：MOSFET N-CH 650V 9A TO220-3
库存：0
单价：
| 500+： | ￥19.282328 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00