货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥15.653865 | ¥15.65 |
10 | ¥13.98901 | ¥139.89 |
100 | ¥10.90536 | ¥1090.54 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Infineon(英飞凌) |
系列: | HEXFET® |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 75 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 87A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 6V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 7.2 毫欧 @ 52A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 3.7V @ 100µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 126 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 4430 pF @ 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 140W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | PG-TO252-3 |
封装/外壳: | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
标准包装: | 2,000 |
IRFR7740TRPBF
型号:IRFR7740TRPBF
品牌:Infineon英飞凌
描述:MOSFET N-CH 75V 87A DPAK
库存:0
单价:
1+: | ¥15.653865 |
10+: | ¥13.98901 |
100+: | ¥10.90536 |
500+: | ¥9.008619 |
1000+: | ¥7.902329 |
2000+: | ¥7.902329 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥15.65