IRFIB5N65A

制造商编号:
IRFIB5N65A
制造商:
Vishay威世
描述:
MOSFET N-CH 650V 5.1A TO220-3
规格说明书:
IRFIB5N65A说明书

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货期: 8周-10周

封装: 管件

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规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: -
包装: 管件
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.1A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 930 毫欧 @ 3.1A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 48 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1417 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 60W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220-3
封装/外壳: TO-220-3 全封装,隔离接片
标准包装: 1,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
STP9NK60ZFP STMicroelectronics ¥23.81000 类似
STF10N65K3 STMicroelectronics ¥13.21000 类似
STP9NK70ZFP STMicroelectronics ¥24.58000 类似
STF7NM60N STMicroelectronics ¥23.04000 类似
STF6N65K3 STMicroelectronics ¥17.82000 类似

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IRFIB5N65A

型号:IRFIB5N65A

品牌:Vishay威世

描述:MOSFET N-CH 650V 5.1A TO220-3

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