IRLL024ZTRPBF

制造商编号:
IRLL024ZTRPBF
制造商:
Infineon英飞凌
描述:
MOSFET N-CH 55V 5A SOT223
规格说明书:
IRLL024ZTRPBF说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 9.163541 9.16
10 8.088037 80.88
100 6.201119 620.11

规格参数

属性 参数值
制造商: Infineon(英飞凌)
系列: HEXFET®
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 60 毫欧 @ 3A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 11 nC @ 5 V
Vgs(最大值): ±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 380 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 1W(Ta)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SOT-223
封装/外壳: TO-261-4,TO-261AA
标准包装: 2,500

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IRLL024ZTRPBF

型号:IRLL024ZTRPBF

品牌:Infineon英飞凌

描述:MOSFET N-CH 55V 5A SOT223

库存:0

单价:

1+: ¥9.163541
10+: ¥8.088037
100+: ¥6.201119
500+: ¥4.902034
1000+: ¥4.085025
2500+: ¥4.085025

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