TK39N60W,S1VF

制造商编号:
TK39N60W,S1VF
制造商:
Toshiba东芝
描述:
MOSFET N CH 600V 38.8A TO247
规格说明书:
TK39N60W,S1VF说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 95.326492 95.33
10 86.122122 861.22
100 71.304512 7130.45

规格参数

属性 参数值
制造商: Toshiba(东芝)
系列: DTMOSIV
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 38.8A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 65 毫欧 @ 19.4A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.7V @ 1.9mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 110 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 4100 pF @ 300 V
FET 功能: 超级结
功率耗散(最大值): 270W(Tc)
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247
封装/外壳: TO-247-3
标准包装: 30

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
IPW65R048CFDAFKSA1 Infineon Technologies ¥143.54000 类似

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TK39N60W,S1VF

型号:TK39N60W,S1VF

品牌:Toshiba东芝

描述:MOSFET N CH 600V 38.8A TO247

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1+: ¥95.326492
10+: ¥86.122122
100+: ¥71.304512
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