货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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10000 | ¥0.917359 | ¥9173.59 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Diodes(美台) |
系列: | - |
包装: | 卷带(TR) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 和 P 沟道互补型 |
FET 功能: | 标准 |
漏源电压(Vdss): | 20V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 4A(Ta),3.3A(Ta) |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 42 毫欧 @ 5A,4.5V,70 毫欧 @ 3.5A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 1.2V @ 250µA,1V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 10.5nC @ 10V,6.5nC @ 4.5V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 416pF @ 10V,536pF @ 10V |
功率 - 最大值: | 700mW(Ta) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 |
供应商器件封装: | TSOT-23 |
标准包装: | 10,000 |
DMC2057UVT-13
型号:DMC2057UVT-13
品牌:Diodes美台
描述:MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R
库存:0
单价:
10000+: | ¥0.917359 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00