S4PJHM3_A/I

制造商编号:
S4PJHM3_A/I
制造商:
Vishay威世
描述:
DIODE GEN PURP 600V 4A TO277A
规格说明书:
S4PJHM3_A/I说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
6500 1.890686 12289.46

规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: Automotive, AEC-Q101, eSMP®
包装: 卷带(TR)
零件状态: 在售
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 600 V
电流 - 平均整流 (Io): 4A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 4 A
速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 2.5 µs
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 600 V
不同 Vr、F 时电容: 30pF @ 4V,1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-277,3-PowerDFN
供应商器件封装: TO-277A(SMPC)
工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C
标准包装: 6,500

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S4PJHM3_A/I

型号:S4PJHM3_A/I

品牌:Vishay威世

描述:DIODE GEN PURP 600V 4A TO277A

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