货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | ¥30.076806 | ¥30.08 |
10 | ¥26.99328 | ¥269.93 |
100 | ¥22.120191 | ¥2212.02 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
---|---|
制造商: | EPC |
系列: | eGaN® |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | GaNFET(氮化镓) |
漏源电压(Vdss): | 65 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 4A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 5V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 130 毫欧 @ 500mA,5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 0.45 nC @ 5 V |
Vgs(最大值): | +6V,-4V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 52 pF @ 32.5 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | - |
工作温度: | -40°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | 模具 |
封装/外壳: | 模具 |
标准包装: | 2,500 |
EPC8009
型号:EPC8009
品牌:EPC
描述:GANFET N-CH 65V 4A DIE
库存:0
单价:
1+: | ¥30.076806 |
10+: | ¥26.99328 |
100+: | ¥22.120191 |
500+: | ¥18.830493 |
1000+: | ¥15.88115 |
2500+: | ¥15.468654 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥30.08