库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | ON(安森美) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） |
| 零件状态: | 停产 |
| FET 类型: | 2 N 沟道（双）非对称型 |
| FET 功能: | 标准 |
| 漏源电压（Vdss）: | 30V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 11.3A，18.1A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 5.4 毫欧 @ 30A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 22.2nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 1153pF @ 15V |
| 功率 - 最大值: | 1.1W |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 8-PowerTDFN |
| 供应商器件封装: | 8-DFN（5x6） |
| 标准包装: | 5,000 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| BSC0993NDATMA1 | Infineon Technologies | ¥15.05000 | 类似 |
NTMFD4C86NT3G
型号：NTMFD4C86NT3G
品牌：ON安森美
描述：MOSFET 2N-CH 30V 11.3/18.1A 8DFN
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货期：1-2天
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