NTMFD4C86NT3G

制造商编号:
NTMFD4C86NT3G
制造商:
ON安森美
描述:
MOSFET 2N-CH 30V 11.3/18.1A 8DFN
规格说明书:
NTMFD4C86NT3G说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

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规格参数

属性 参数值
制造商: ON(安森美)
系列: -
包装: 卷带(TR)
零件状态: 停产
FET 类型: 2 N 沟道(双)非对称型
FET 功能: 标准
漏源电压(Vdss): 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 11.3A,18.1A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 5.4 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 22.2nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1153pF @ 15V
功率 - 最大值: 1.1W
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-PowerTDFN
供应商器件封装: 8-DFN(5x6)
标准包装: 5,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
BSC0993NDATMA1 Infineon Technologies ¥15.05000 类似

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NTMFD4C86NT3G

型号:NTMFD4C86NT3G

品牌:ON安森美

描述:MOSFET 2N-CH 30V 11.3/18.1A 8DFN

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