- 制造商编号：
- SSM6L35FU(TE85L,F)
- 制造商：
- Toshiba东芝
- 描述：
- MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A US6
- 规格说明书：
- SSM6L35FU(TE85L,F)说明书
库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥0.888627 | ￥2665.88 |
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Toshiba(东芝) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 和 P 沟道 |
| FET 功能: | 逻辑电平栅极，1.2V 驱动 |
| 漏源电压（Vdss）: | 20V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 180mA，100mA |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 3 欧姆 @ 50mA，4V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 1V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | - |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 9.5pF @ 3V |
| 功率 - 最大值: | 200mW |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商器件封装: | US6 |
| 标准包装: | 3,000 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| VT6M1T2CR | Rohm Semiconductor | ¥2.84000 | 类似 |
SSM6L35FU(TE85L,F)
型号：SSM6L35FU(TE85L,F)
品牌：Toshiba东芝
描述：MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A US6
库存：0
单价：
| 3000+： | ￥0.888627 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00