VS-GB200TH120N

制造商编号:
VS-GB200TH120N
制造商:
Vishay威世
描述:
IGBT MOD 1200V 360A INT-A-PAK
规格说明书:
VS-GB200TH120N说明书

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货期: 8周-10周

封装: 散装

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规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: -
包装: 散装
零件状态: 停产
IGBT 类型: -
配置: 半桥
电压 - 集射极击穿(最大值): 1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 360 A
功率 - 最大值: 1136 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.35V @ 15V,200A
电流 - 集电极截止(最大值): 5 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies): 14.9 nF @ 25 V
输入: 标准
NTC 热敏电阻:
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 双 INT-A-PAK(3 + 4)
供应商器件封装: 双 INT-A-PAK
标准包装: 12

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
FF300R12KT4HOSA1 Infineon Technologies ¥1,282.71000 直接

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VS-GB200TH120N

型号:VS-GB200TH120N

品牌:Vishay威世

描述:IGBT MOD 1200V 360A INT-A-PAK

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