货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥7.352097 | ¥7.35 |
10 | ¥6.573573 | ¥65.74 |
100 | ¥5.126178 | ¥512.62 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
---|---|
制造商: | Diodes(美台) |
系列: | - |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | 2 N 沟道(双)共漏 |
FET 功能: | 标准 |
漏源电压(Vdss): | - |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | - |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | - |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | - |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 68.6nC @ 4V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | - |
功率 - 最大值: | 1.1W |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 6-SMD,无引线 |
供应商器件封装: | X4-DSN3118-6 |
标准包装: | 3,000 |
DMN1002UCA6-7
型号:DMN1002UCA6-7
品牌:Diodes美台
描述:MOSFETN-CHAN 12V X4-DSN3118-6
库存:0
单价:
1+: | ¥7.352097 |
10+: | ¥6.573573 |
100+: | ¥5.126178 |
500+: | ¥4.234534 |
1000+: | ¥3.34305 |
3000+: | ¥3.432187 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥7.35