货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1+ : 需询价 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Infineon(英飞凌) |
系列: | OptiMOS™ |
包装: | 卷带(TR) |
零件状态: | 停产 |
FET 类型: | N 和 P 沟道 |
FET 功能: | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss): | 55V,30V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 40A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 11.7 毫欧 @ 20A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2.2V @ 40µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 121nC @ 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 6100pF @ 25V |
功率 - 最大值: | 69W,96W |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | TO-263-6,D²Pak(5 引线 + 接片),TO-263BA |
供应商器件封装: | PG-TO263-5-1 |
标准包装: | 1,000 |
BTS7904BATMA1
型号:BTS7904BATMA1
品牌:Infineon英飞凌
描述:MOSFET N/P-CH 55V/30V 40A TO263
库存:0
单价:
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00