BUK652R0-30C,127

制造商编号:
BUK652R0-30C,127
制造商:
NXP恩智浦
描述:
MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB
规格说明书:
BUK652R0-30C,127说明书

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货期: 8周-10周

封装: 管件

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规格参数

属性 参数值
制造商: NXP(恩智浦)
系列: TrenchMOS™
包装: 管件
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 120A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.2 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.8V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 229 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 14964 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 306W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220AB
封装/外壳: TO-220-3
标准包装: 50

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BUK652R0-30C,127

型号:BUK652R0-30C,127

品牌:NXP恩智浦

描述:MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB

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