STW27NM60ND

制造商编号:
STW27NM60ND
制造商:
ST意法半导体
描述:
MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3
规格说明书:
STW27NM60ND说明书

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封装: 管件

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规格参数

属性 参数值
制造商: ST(意法半导体)
系列: Automotive, AEC-Q101, FDmesh™ II
包装: 管件
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 21A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 160 毫欧 @ 10.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V @ 250µA
Vgs(最大值): ±25V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 160W(Tc)
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247-3
封装/外壳: TO-247-3
标准包装: 30

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
IXFR48N60P IXYS ¥153.06000 类似
IXFH30N60X IXYS ¥63.82000 类似
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IXFH36N60P IXYS ¥89.08000 类似

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STW27NM60ND

型号:STW27NM60ND

品牌:ST意法半导体

描述:MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3

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