DMG1023UVQ-13

制造商编号:
DMG1023UVQ-13
制造商:
Diodes美台
描述:
MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT563
规格说明书:
DMG1023UVQ-13说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
10000 0.844948 8449.48

规格参数

属性 参数值
制造商: Diodes(美台)
系列: Automotive, AEC-Q101
包装: 卷带(TR)
零件状态: 在售
FET 类型: 2 个 P 沟道(双)
FET 功能: 标准
漏源电压(Vdss): 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.03A(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 750 毫欧 @ 430mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 622pC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 59pF @ 16V
功率 - 最大值: 530mW(Ta)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-563,SOT-666
供应商器件封装: SOT-563
标准包装: 10,000

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DMG1023UVQ-13

型号:DMG1023UVQ-13

品牌:Diodes美台

描述:MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT563

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