库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 4000 | ￥1.26519 | ￥5060.76 |
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Toshiba(东芝) |
| 系列: | U-MOSII |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | P 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 1.4A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 4V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 251 毫欧 @ 650mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.6V @ 1mA |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 137 pF @ 15 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 500mW（Ta） |
| 工作温度: | 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | ES6（1.6x1.6） |
| 封装/外壳: | SOT-563，SOT-666 |
| 标准包装: | 4,000 |
SSM6J207FE,LF
型号：SSM6J207FE,LF
品牌：Toshiba东芝
描述：MOSFET P-CH 30V 1.4A ES6
库存：0
单价：
| 4000+： | ￥1.26519 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00