STF23NM60N

制造商编号:
STF23NM60N
制造商:
ST意法半导体
描述:
MOSFET N-CH 600V 19A TO220FP
规格说明书:
STF23NM60N说明书

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货期: 8周-10周

封装: 管件

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规格参数

属性 参数值
制造商: ST(意法半导体)
系列: MDmesh™ II
包装: 管件
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 19A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 180 毫欧 @ 9.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 60 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2050 pF @ 50 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 35W(Tc)
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220FP
封装/外壳: TO-220-3 整包
标准包装: 50

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
IPA50R140CPXKSA1 Infineon Technologies ¥50.07000 类似
AOTF20S60L Alpha & Omega Semiconductor Inc. ¥26.03000 类似
R6020ENX Rohm Semiconductor ¥24.42000 类似
R6024KNX Rohm Semiconductor ¥19.97000 类似
R6020KNX Rohm Semiconductor ¥22.19000 类似

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STF23NM60N

型号:STF23NM60N

品牌:ST意法半导体

描述:MOSFET N-CH 600V 19A TO220FP

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