库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 管件
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥295.906532 | ￥295.91 |
| 10 | ￥272.888264 | ￥2728.88 |
| 100 | ￥233.027482 | ￥23302.75 |
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | IXYS(艾赛斯) |
| 系列: | XPT™, GenX4™ |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 在售 |
| IGBT 类型: | PT |
| 配置: | 单路 |
| 电压 - 集射极击穿（最大值）: | 650 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: | 210 A |
| 功率 - 最大值: | 750 W |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: | 2.35V @ 15V，110A |
| 电流 - 集电极截止（最大值）: | 50 µA |
| 不同 Vce 时输入电容 (Cies): | 3.69 nF @ 25 V |
| 输入: | 标准 |
| NTC 热敏电阻: | 无 |
| 工作温度: | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 底座安装 |
| 封装/外壳: | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商器件封装: | SOT-227B |
| 标准包装: | 10 |
IXXN110N65C4H1
型号：IXXN110N65C4H1
品牌：IXYS艾赛斯
描述：IGBT MOD 650V 210A 750W SOT227B
库存：0
单价：
| 1+： | ￥295.906532 |
| 10+： | ￥272.888264 |
| 100+： | ￥233.027482 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥295.91