APTM100DAM90G

制造商编号:
APTM100DAM90G
制造商:
Microchip微芯
描述:
MOSFET N-CH 1000V 78A SP6
规格说明书:
APTM100DAM90G说明书

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货期: 8周-10周

封装: 散装

定价(含税)

阶梯 单价 总价
6 2033.301269 12199.81

规格参数

属性 参数值
制造商: Microchip(微芯)
系列: -
包装: 散装
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 1000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 78A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 105 毫欧 @ 39A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V @ 10mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 744 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 20700 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 1250W(Tc)
工作温度: -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 底座安装
供应商器件封装: SP6
封装/外壳: SP6
标准包装: 1

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APTM100DAM90G

型号:APTM100DAM90G

品牌:Microchip微芯

描述:MOSFET N-CH 1000V 78A SP6

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